Praga, 20 marzo 2015 - Samsung Electronics Co., Ltd., leader mondiale nella tecnologia di memoria avanzata, introduce lo storage NAND a 128 bit e 3 GB ad alte prestazioni per dispositivi mobili, basato sulla tecnologia Embedded MultiMediaCard(eMMC) 5.0. Gli smartphone di punta stanno già passando alla memoria da 128 GB basata sugli standard Universal Flash Storage (UFS) 2.0 o EMMC 5.1. Allo stesso modo, anche gli smartphone di fascia media potranno ora aumentare la propria capacità 128 GB grazie al nuovo repository Samsung 3 bit NAND eMMC 5.0. Questo chip di memoria ha la capacità più grande all'interno dello standard eMMC 5.0.
“Con il lancio della nostra serie eMMC 3 a 5.0 bit basata su NAND, prevediamo di aprire la strada all’espansione dello storage mobile ad alta capacità. Continuiamo a sviluppare la nostra offerta di memoria mobile con prestazioni migliorate e maggiore capacità per soddisfare la crescente domanda dei clienti nel settore della telefonia mobile”. ha detto il Dott. Jung-Bae Lee, vicepresidente senior del team di pianificazione dei prodotti di memoria e ingegneria delle applicazioni presso Samsung Electronics.
Lettura sequenziale i dati del nuovo storage eMMC 128 da 5.0 GB di Samsung funzionano a tutta velocità 260 MB / s. Si tratta delle stesse prestazioni della memoria MLC eMMC 5.1 basata su NAND. Prestazioni di lettura e scrittura casuali je 6000 IOPS, Resp. 5000 IOPS, che è abbastanza veloce da supportare video ad alta definizione e funzioni multitasking avanzate. Rispetto alle schede di memoria esterne, queste velocità di lettura e scrittura sono di ca 4 volte a 10 volte superiore.
La nuova serie eMMC 3 a 5.0 bit espande l'attività di Samsung dalla fornitura di SSD per data center, server e PC all'intero mercato dello storage mobile. Samsung continuerà a introdurre memorie Flash NAND a 3 bit attraverso lo sviluppo di soluzioni ad alte prestazioni e ad alta capacità, oltre a continuare a rafforzare la competitività del proprio business nel campo della tecnologia delle memorie.
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