In questi giorni, Samsung si sta preparando ad avviare la produzione di memoria flash NAND UFS 2.0 ultraveloce che prevede di utilizzare nella sua futura ammiraglia, Samsung Galaxy S6. Fino ad ora veniva utilizzata la tecnologia di memoria eMMC NAND Flash, che era in grado di raggiungere una velocità di trasferimento di 400 MB/s. Tuttavia, grazie alla nuova tecnologia UFS di seconda generazione, la memoria sarà nei telefoni Galaxy S6 in grado di raggiungere una velocità di trasferimento fino a 1.2 GB/s, ovvero una velocità tre volte superiore.
Ciò ovviamente si rifletterà nel trasferimento di file di grandi dimensioni, come il trasferimento di video 4K utilizzando una connessione LTE-A. Inoltre, rispetto all'eMMC 5.0, la tecnologia offre un consumo inferiore fino al 50%, il che ha un effetto positivo sulla durata della batteria del nuovo telefono. Samsung prevede di utilizzare la tecnologia anche nelle sue schede SD e microSD e sembra che ci stia già lavorando duramente. Anche il principale rivale cinese di Samsung, Xiaomi, prevede di utilizzare la memoria UFS Flash e sembra che anche Toshima, Hynix e Micron mostreranno interesse nei suoi confronti. Inoltre, grazie alla tecnologia UFS, Samsung sarà costretta a utilizzare la porta microUSB 3.0 se vorrà sfruttare la velocità di trasferimento durante il trasferimento di file da un computer a un telefono cellulare e viceversa.
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*Fonte: ETNews
